三星：3納米GAA制程研發進度領先臺積電
界面 2021年08月27日 08:39
據韓媒Business Korea報道，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung周三(25日)在一場網絡技術論壇中表示，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布GAA技術商業化。
他說，“我們開發中的GAA技術，領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。”
據報道，GAA是3納米制程的關鍵。GAA技術的優點在于改變電晶體架構，將之由鰭式場效電晶體(FinFET)的3D轉為GAA的4D。【責任編輯/常琳】
來源：界面新聞
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