ASML 1nm光刻機完成：摩爾定律尚未結(jié)束

摩爾定律的終點是什么?隨著5nm光刻技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)和3nm的突破，摩爾定律的終結(jié)變得越來越難以捉摸。可以肯定的是，隨著過程的進一步改進，其成本將成倍增加。

根據(jù)日本媒體Mynavi的報道，歐洲微電子研究中心IMEC首席執(zhí)行官兼總裁Luc Van den hove在最近一次在線活動的在線演示中表示，與ASML合作已朝著更先進的光刻技術(shù)取得了進展。

本月中旬，ITF論壇在日本東京舉行。在論壇上，與ASML合作開發(fā)光刻技術(shù)的比利時半導體研究組織IMEC在微尺度級別上宣布了3nm及以下工藝的技術(shù)細節(jié)。至少就目前而言，ASML為3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm制定了清晰的路線圖，而1nm時代將使光刻機的尺寸大大增加。

EUV光刻系統(tǒng)的技術(shù)路線圖，用于邏輯器件的工藝小型化

ASML幾乎完成了1nm光刻機的設計

IMEC首席執(zhí)行官兼總裁Luc Van den hove作了第一場主旨演講，概述了該公司的研究成果，并強調(diào)了與ASML的密切合作，下一代高分辨率EUV光刻，高NA EUV光刻的商業(yè)化。IMEC Inc.強調(diào)了將尺寸縮小至1nm及以下的過程將繼續(xù)進行。

包括日本在內(nèi)的許多半導體公司已經(jīng)退出了工藝的小型化，聲稱摩爾定律已告終結(jié)，或者說摩爾定律過于昂貴且無利可圖。盡管日本許多光刻工具制造商已經(jīng)退出了EUV光刻開發(fā)階段，但半導體研究機構(gòu)IMEC和ASML一直在合作開發(fā)EUV光刻，這對于超精細規(guī)模至關(guān)重要。

IMEC宣布了1nm及以下工藝的路線圖

IMEC將在2020年ITF日本大會上提出3nm，2nm，1.5nm和1nm以下邏輯器件小型化的路線圖。

IMEC的邏輯設備小型化路線圖

PP是多晶硅互連的間距(nm)，MP是上游技術(shù)節(jié)點名稱下的精細金屬布線的間距(nm)。應該注意的是，過去的技術(shù)節(jié)點是指最小的工藝尺寸或門的長度，但是現(xiàn)在它們只是“標簽”，而不是指位置的物理長度。

EUV的高NA對進一步小型化至關(guān)重要

根據(jù)臺積電和三星電子的說法，從7nm工藝開始，一些工藝引入了NA = 0.33的EUV光刻設備，而5nm工藝也實現(xiàn)了頻率的提高，但對于2nm之后的超精細工藝，分辨率更高且更高。需要實現(xiàn)光刻設備NA(NA = 0.55)。

EUV光刻系統(tǒng)的技術(shù)路線圖，用于邏輯器件的工藝小型化

根據(jù)IMEC的說法，ASML已經(jīng)完成了作為NXE：5000系列的高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設計，但計劃于2022年實現(xiàn)商業(yè)化。

ASML過去一直與IMEC密切合作，以開發(fā)光刻技術(shù)，但為了使用高NA EUV光刻工具開發(fā)光刻工藝，已在IMEC校園內(nèi)建立了新的“ IMEC-ASML高NA EUV實驗室”，以促進聯(lián)合研究和使用高NA EUV光刻工藝的工具開發(fā)光刻工藝。該公司還計劃與材料供應商合作開發(fā)掩膜和抗蝕劑。

ASML在過去與IMEC密切合作開發(fā)光刻技術(shù),但開發(fā)光刻過程使用高NA EUV光刻工具,一個新的「IMEC-ASML高NA EUV實驗室」已經(jīng)建立在IMEC校園促進聯(lián)合研究和開發(fā)的光刻過程使用高NA EUV光刻過程的工具。該公司還計劃與材料供應商合作開發(fā)口罩和防腐蝕劑。【責任編輯/額發(fā)】

參考鏈接：

https://sparrowsnews.com/2020/12/01/asml-1nm-lithography/

來源：新智元

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