SK海力士開發(fā)出業(yè)界首款實現(xiàn)垂直堆疊12個單品HBM3 DRAM芯片
原標題：SK 海力士開發(fā)出業(yè)界首款 12 層堆疊 HBM3 DRAM 芯片，已向客戶提供樣品
4 月 20 日消息，SK 海力士官網(wǎng)宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能 DRAM(內存)——HBM3 的技術界限，全球首次實現(xiàn)垂直堆疊 12 個單品 DRAM 芯片，成功開發(fā)出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新產品。該公司表示，目前正在向客戶提供樣品，并進行性能評估。
SK 海力士表示：“繼去年 6 月率先量產業(yè)界首款 HBM3 之后，公司又成功開發(fā)出了內存容量比前一代產品增加 50% 的 24GB 封裝產品。我們將在下半年向市場供應新產品，以滿足由 AI 聊天機器人行業(yè)帶動的高端內存產品的需求。”
SK 海力士的工程師通過應用先進的批量回流模壓填充(MR-MUF) 技術，提高了新產品的工藝效率和性能穩(wěn)定性，同時通過硅通孔(TSV) 技術，將單個 DRAM 芯片的厚度降低了 40%，達到了與 16GB 產品相同的堆疊高度水平。
HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發(fā)出來的一種內存，由于它在實現(xiàn)運行在高性能計算(HPC)系統(tǒng)中的生成型 AI 中起著至關重要的作用，因此受到了內存芯片行業(yè)的廣泛關注。最新的 HBM3 標準尤其被認為是快速處理大量數(shù)據(jù)的理想產品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。
SK 海力士已經向多個對最新產品表達了極大期待的客戶提供了 24GB HBM3 產品的樣品，同時該產品的性能評估也在進行中。
“SK 海力士之所以能夠不斷開發(fā)出一系列超高速和高容量的 HBM 產品，是因為它在后端工藝中運用了領先的技術，”SK 海力士封裝測試部門負責人洪相厚說，“公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備工作，以進一步鞏固其在 AI 時代尖端 DRAM 市場中的領導地位。”
IT之家注：HBM(High Bandwidth Memory)是一種高價值、高性能的內存，通過垂直連接多個 DRAM 芯片，與傳統(tǒng)的 DRAM 產品相比，大幅提高了數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM 產品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)的順序開發(fā)。現(xiàn)有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆疊 8 個單品 DRAM 芯片的 16GB。
來源：IT之家
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