原標(biāo)題:英特爾至強(qiáng)處理器 2023 - 2025 路線圖發(fā)布:全新 P-Core 和 E-Core 雙系列,飆至 144 核
3 月 30 日消息,英特爾于今日公布了 2023-2025 年 Xeon 至強(qiáng) CPU 路線圖,并簡(jiǎn)單介紹了之后的產(chǎn)品數(shù)據(jù)。
英特爾宣布,將把至強(qiáng)系列分為 P-Core 和 E-Core 兩個(gè)系列,前者就是之前的至強(qiáng)系列,后者是新增加的節(jié)能架構(gòu),將提供更好的電源效率。
IT之家匯總,2023-2025 年 Xeon 至強(qiáng) CPU 路線圖包括:
2023 年底的 Emerald Rapids(P-Core);
2024 年上半年的 Sierra Forest(E-Core),以及之后發(fā)布的 Granite Rapids(P-Core);
2025 年的 Clearwater Forest(E-Core)。
2023 年 P-Core 產(chǎn)品
英特爾第 4 代 Sapphire Rapids CPU 系列的后續(xù)產(chǎn)品 —— 第 5 代至強(qiáng)系列代號(hào)為 Emerald Rapids。Emerald Rapids-SP CPU 仍是傳統(tǒng)的 P-Core 系列,目前已經(jīng)開始提供樣品,并按計(jì)劃于 2023 年第四季度交付。
Emerald Rapids-SP 系列的改進(jìn),包括提高能效、提供更高的核心密度。第 5 代 Emerald Rapids 將與現(xiàn)有的第 4 代 Eagle Stream 平臺(tái)完全兼容,可以輕松從上一代平臺(tái)遷移。
Emerald Rapids 預(yù)計(jì)將使用 Raptor Cove 核心架構(gòu),這是 Golden Cove 核心的改進(jìn)版本,將比 Golden Cove 核心提供 5-10% 的 IPC 改進(jìn)。它還將包含多達(dá) 64 個(gè)內(nèi)核和 128 個(gè)線程,與上一代 Sapphire Rapids 芯片的 56 個(gè)內(nèi)核和 112 個(gè)線程相比有小幅提升。
據(jù)爆料人 @SkyJuice 放出的圖片,第 5 代至強(qiáng) Emerald Rapids 的 XCC 曝光,將包括兩個(gè)基于 Intel 7 工藝的 die,每個(gè)大約 770mm2。
2024 年 P-Core 產(chǎn)品
2024 年的 Granite Rapids-SP CPU 將采用基于 Intel 3 工藝的最新 x86 CPU 架構(gòu),預(yù)計(jì)稱為 Redwood Cove 核心,可能會(huì)超過(guò) 100 個(gè)內(nèi)核。
Granite Rapids-SP 至強(qiáng)處理器將 支持 Mountain Stream 和 Birch Stream 平臺(tái),進(jìn)一步提高核心密度、內(nèi)存和 I / O,例如支持 DDR5-8800 MCR RDIMM。新內(nèi)存將提高 83% 的峰值帶寬,并為平臺(tái)提供高達(dá) 1.5 TB / s 的帶寬。英特爾還展示了早期 Granite Rapids-SP 芯片的演示,該芯片在雙插槽平臺(tái) (2S) 上運(yùn)行 DDR5-8000 MT / s 內(nèi)存,結(jié)果顯示運(yùn)行良好:
全新 E-Core 產(chǎn)品
英特爾至強(qiáng) E-Core 系列首代產(chǎn)品 —— Sierra Forest 將計(jì)劃于 2024 年上半年交付。該 CPU 將包含多達(dá) 144 個(gè)基于 Intel 3 工藝的內(nèi)核,并為云優(yōu)化工作負(fù)載構(gòu)建。
搭載 144 個(gè)內(nèi)核的英特爾 Sierra Forest CPU 預(yù)計(jì)將與 AMD 的 EPYC Bergamo 128 核 CPU 競(jìng)爭(zhēng)。英特爾展示了 Sierra Forest CPU 的演示,該芯片在 144 個(gè)內(nèi)核上都以 100% 的運(yùn)行狀況運(yùn)行
最后,英特爾展望了名為 Clearwater Forest 的第二代 E-Core 至強(qiáng)處理器,該系列計(jì)劃于 2025 年推出,并將采用英特爾 18A 工藝節(jié)點(diǎn),提供更多的核心數(shù)。英特爾 18A 工藝節(jié)點(diǎn)將對(duì) RibbonFET 架構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),號(hào)稱可以實(shí)現(xiàn)晶體管和芯片性能的又一次重大飛躍。
來(lái)源:IT之家
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