長光辰芯推出首款超大靶面可拼接sCMOS圖像傳感器 主要面向天文觀測領(lǐng)域
原標(biāo)題：長光辰芯發(fā)布首款超大靶面可拼接 sCMOS 圖像傳感器：超大感光面積 + 8100 萬高分辨率
12 月 15 日消息：長光辰芯今日宣布推出首款超大靶面可拼接背照式 sCMOS 圖像傳感器 ——GSENSE1081BSI。該產(chǎn)品主要面向天文觀測領(lǐng)域，能滿足極度微光探測、長曝光的應(yīng)用需求。
IT之家了解到，GSENSE 系列產(chǎn)品是長光辰芯推出的科學(xué)級 CMOS 圖像傳感器，面向高端科學(xué)成像應(yīng)用而開發(fā)，主要包括生命科學(xué)、醫(yī)療成像、光譜學(xué)、熒光成像、天文學(xué)、高能物理和軟 X 射線等領(lǐng)域。
作為長光辰芯目前靶面最大的圖像傳感器，GSENSE1081BSI 具有 89 mm×91.2 mm 的感光面積和 8100 萬高分辨率。針對天文成像，芯片采用了 10μm 的大像素設(shè)計方案，得益于背照式技術(shù)的加持，可獲得大于 95% 的峰值量子效率和高靈敏度。
長光辰芯數(shù)據(jù)顯示，GSENSE1081BSI 具有 91.7 ke-滿阱容量以及小于 5e-的讀出噪聲，單幅動態(tài)范圍可達(dá) 85dB。片上 16bit ADC 可提高對原始信號的采樣精度，使畫面中保留更加豐富的亮度信息。
據(jù)介紹，根據(jù)天文觀測中長曝光和深度制冷的應(yīng)用需求，GSENSE1081BSI 針對暗電流指標(biāo)進(jìn)行了優(yōu)化，在-70℃攝氏度下，暗電流僅為 0.0026 e-/s/ pixel。芯片采用了 anti-glowing 技術(shù)，在極端的溫度條件下，超長曝光時間，也可有效消除輝光現(xiàn)象。
此外，GSENSE1081BSI 芯片在像素設(shè)計中針對性優(yōu)化，降低了該芯片的像素內(nèi)響應(yīng)不均勻性，同時采用三面可拼接的碳化硅基底封裝設(shè)計，通過柔性線纜進(jìn)行片上數(shù)據(jù)傳輸，更適合大視場、多芯片拼接應(yīng)用。
來源：IT之家
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