至訊創(chuàng)新宣布成功研制19nm 2D NAND閃存芯片 預(yù)計(jì)明年年初全面投放市場

原標(biāo)題：至訊創(chuàng)新宣布成功研制國內(nèi)首款全自研中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片

12 月 13 日消息：至訊創(chuàng)新今日宣布，其自主研發(fā)的國內(nèi)首款中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片研制成功，預(yù)計(jì)將于明年年初全面投放市場。

至訊創(chuàng)新表示，這是國內(nèi)首款全自研、運(yùn)用先進(jìn)工藝的中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋 512Mb、1Gb 和 2Gb 容量，提供 1.8V 和 3.3V 電壓，并采用串行接口 SPI 和 WSON 封裝。

據(jù)介紹，其可滿足消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品對(duì)可靠性的需求，還可達(dá)到工規(guī)和車規(guī)等高可靠性應(yīng)用場景對(duì)擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留的要求。至訊創(chuàng)新數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了芯片面積縮小 40%，I / O 速度提升 25%，擦寫周期提升 70%。

IT之家了解到，官方信息顯示，至訊創(chuàng)新成立于 2021 年 10 月，總部位于江蘇無錫，在上海、深圳、香港等地均已設(shè)立分支機(jī)構(gòu)。目前，至訊創(chuàng)新正進(jìn)行 A 輪融資。

來源：IT之家

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