三星擬投150億美元新建半導(dǎo)體研發(fā)中心，李在镕出席奠基儀式

三星電子周五表示，其在韓國(guó)的一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心破土動(dòng)工，計(jì)劃到2028年向該中心投資約20萬(wàn)億韓元(150億美元)，以加強(qiáng)其芯片技術(shù)領(lǐng)先地位。

這家全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商和第二大芯片代工商表示，位于首爾南部器興(Giheung)的新研發(fā)中心將領(lǐng)導(dǎo)下一代存儲(chǔ)和系統(tǒng)芯片設(shè)備和流程的先進(jìn)研究，以及基于長(zhǎng)期路線圖的新技術(shù)開(kāi)發(fā)。

該公司在一份聲明中表示：“三星電子正在尋求克服半導(dǎo)體規(guī)模的限制。”

剛剛獲得赦免的三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕和高層管理人員出席了動(dòng)工儀式。李在镕在當(dāng)天的儀式上表示：“我們需要延續(xù)我們先發(fā)制人地投資、重視技術(shù)的傳統(tǒng)。”

李在镕隨后會(huì)見(jiàn)了芯片業(yè)務(wù)的員工，并單獨(dú)會(huì)見(jiàn)了高管，討論了如何確保獲得擴(kuò)大半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位的技術(shù)。【責(zé)任編輯/周末】

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