Intel透露“4nm EUV”工藝進(jìn)展：每瓦性能提升20% 進(jìn)展良好

10月底發(fā)布的12代酷睿不僅升級了大小核架構(gòu)，工藝也升級到了Intel 7(之前的10nm SF工藝增強(qiáng)版)，從這一代開始Intel的工藝也會爆發(fā)，4年時間要掌握5代工藝，其中下一個工藝是Intel 4，官方現(xiàn)在透露它的進(jìn)展很順利，芯片測試已經(jīng)完美通過。

Intel 4工藝就是沒改名之前的Intel 7nm工藝，它可是Intel接下來非常重要的工藝節(jié)點(diǎn)，會首次引入EUV光刻機(jī)，能效比再提升大約20%，明年下半年投產(chǎn)，2023年產(chǎn)品上市。

現(xiàn)在Intel首次透露了這個“4nm EUV”工藝的進(jìn)展，官方放出了48秒的視頻，顯示該工藝生產(chǎn)的晶圓測試過程，最后的結(jié)果就是通過了所有測試，內(nèi)部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規(guī)范，芯片很“健康””。

Intel沒有公布這個晶圓的具體情況，不過結(jié)合之前的信息來看，這個測試的晶圓應(yīng)該是14代酷睿Meteor Lake，已經(jīng)在今年第二季度完成計(jì)算單元的流片，現(xiàn)在測試非常合理。【責(zé)任編輯/周末】

來源：快科技

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